Samsung завершила разработку первого в мире модуля памяти DDR5 на 512 ГБ

Компания ожидает массового перехода на новый стандарт в 2023-2024 годах.

На конференции Hot Chips 33, посвящённой полупроводниковой промышленности, Samsung объявила о старте производства первого модуля оперативной памяти DDR5 на 512 ГБ.

Несмотря на то, что такой объём скорее подходит для серверных систем, разработка наглядно демонстрирует преимущества над DDR4. Общая производительность памяти выросла на 40%, скорость — в среднем в 2,2 раза, а напряжение, наоборот, сократилось на 8%.

Представленный модуль работает с частотой 7200 МГц при 1,1 В. Таких показателей удалось достигнуть благодаря методу компоновки кристаллов 8-Hi TSV. Расстояние между чипами значительно уменьшилось, а тепловые характеристики улучшились.

Эффективность шины выросла и за счёт встроенной схемы управления питанием (PMIC). В DDR5 она располагается на самом модуле оперативной памяти, а не на материнской плате.

Samsung прогнозирует, что массовый переход на стандарт DDR5 состоится к 2023-2024 году. Производство данного модуля, а также клиентских версий, которые по слухам будут впервые включать объём 64 ГБ, запланировано на ближайшие месяцы.

Оперативная память DDR5 будет поддерживаться аппаратной платформой Alder Lake-S с процессорами Core 12-го поколения, которые Intel представит в конце 2021 года, и процессорами AMD на архитектуре Zen 4, выпуск которых состоится в 2022 году.

#samsung #ddr5 #память #новости