Китайские учёные разработали технологию, которая приведет к созданию 1-нм чипов
Новая технология позволяет наносить атомарно тонкие полупроводниковые слои на крупные пластины, диаметром до 300 мм. Это открывает возможность для производства транзисторов с затвором размер которого 1 нм и меньше (Ангстрем = 0.1 нм), что позволит продлить действие закона Мура и выведет электронику на новый уровень.
Китайские учёные разрабротали контактный метод выращивания плёнки с поверхности на поверхность. Активный материал входит в контакт с подложкой сразу по всей её поверхности, давая старт для роста плёнки равномерно во всех её точках. В зависимости от типа активного материала могут быть выращены плёнки нужного состава и даже множество плёнок друг на друге, если это потребуется. Эта же технология подходит для покрытия подложек графеном, что позволит, наконец, внедрить этот интересный материал в массовое производство чипов.
Следует сказать, что учёные заглянули далеко вперёд. Сегодня 2D-материалы (толщиной в 1 атом) только исследуются на предмет использования в структурах 2D-транзисторов и в других качествах. До массового производства подобных решений ещё очень далеко и предстоит провести много научной работы, пока она не воплотится в серийной продукции. Но это важнейшее направление, которое позволит совершить прорыв в производстве электроники.
Источник мой Телеграм канал:
Комментарий недоступен
Дагестанские учёные открыли стрельбу в центре Махачкалы.
Лабораторные технологии по созданию транзистора с длиной канала в 1нм и раньше создавали и демонстрировали, только вот одно дело показать работающую йобу в лаборатории и совсем другое - запихать миллиард этих йоб в корпус чипа и заставить их работать, а не самопроизвольно "хлопать" затворами из-за того, что температура под крышкой чипа достигла комнатной. Придется китайским дружочкам-пирожочкам еще десяток лет напильником доработать принципиальную конструкцию логической ячейки из таких транзисторов.
Просто для справки
Если смотреть по геометрическим размерам то чипы застыли на 30нм
Если мерить их по стандартам 80х
А вот в нанометры в многослойных чипах дутые
Чипы давно уже в виде пирога многослойного - А делят результат на ПЛОЩАДЬ чипа - а не объем
Китайская гойда...
Во первых как мерят эти нанометры
А во вторых там же проблема не в том, как такоц чип создать, а как он работать будет - электрон не стабилен на таких размерах
Берут общие число транзистеров и делять размер площади чипа на виде сверху
До этого в 200е по 2010е мерили по самой маленькой детали транзстора - размеру между ножек, размеру затвора
А до 90х по большому размеру транзистора целиком