Китайские учёные разработали технологию, которая приведет к созданию 1-нм чипов
Новая технология позволяет наносить атомарно тонкие полупроводниковые слои на крупные пластины, диаметром до 300 мм. Это открывает возможность для производства транзисторов с затвором размер которого 1 нм и меньше (Ангстрем = 0.1 нм), что позволит продлить действие закона Мура и выведет электронику на новый уровень.
Лабораторные технологии по созданию транзистора с длиной канала в 1нм и раньше создавали и демонстрировали, только вот одно дело показать работающую йобу в лаборатории и совсем другое - запихать миллиард этих йоб в корпус чипа и заставить их работать, а не самопроизвольно "хлопать" затворами из-за того, что температура под крышкой чипа достигла комнатной. Придется китайским дружочкам-пирожочкам еще десяток лет напильником доработать принципиальную конструкцию логической ячейки из таких транзисторов.