Intel и TSMC в ближайшее время представят прогресс в разработке следующего поколения транзисторов CFET

Intel и TSMC, два крупнейших производителя полупроводников в мире, представят свой прогресс в области вертикально-стековых транзисторов (CFET) на предстоящей конференции International Electron Devices Meeting (IEDM). CFET должны заменить нынешний тип транзисторов, вероятно, в следующем десятилетии.

CFET представляют собой значительный сдвиг в конструкции транзисторов: благодаря вертикальной укладке два транзистора могут поместиться на площади одного, что увеличивает плотность транзисторов на чипе. Этот дизайн не только увеличивает эффективность использования пространства, но также способствует более удобной компоновке логической схемы, облегчая повышение эффективности дизайна.

Источник мой Телеграм паблик: