Техпроцесс давно встал на уровне 30-40нм Спасибо "Интелу" и его маркетинговым нанометрам из за которых с 100нм там в начале 2000х скакнули до 30сходу.
Техпросс в "МНОГОСЛОЙНЫЙ"(!SIC!) Объемных чипах измеряют в плотности транизстеров на площадь одной стороны кубика.
По факту же если подходить к техпроцессу с точки зрения 70х-80х годов"техпроцесс" где техпроцесс измерялся в размере самого элемента транзистера целиком как неделимого элемента - ничего принципиально меняется кроме собственно уменьшения вероятности брака, улучшения качества отдельного транзистера вместо слабочитаемой блямбы более ровные грани и наращивания слоев чипа - в результате этих двух вещей можно смело рапортовать о новых нанотехнологиях.
20А (Ангстрем) в планах у Интел. Только надо понимать, что до реального физического предела в 5-10 нанометров нам ещё шлёпать и шлёпать. Раньше на графен перейдём, чем сумеем столь сильно миниатюризировать кремний. А у графена такой предел совсем уж недостижим ибо ещё меньше.
Так они уже уперлись в потолок, для повышения мощности они поднимают TDP, для последнего поколения Интелов уже считается минимум TDP 125 Ватт, по сути это печки.
Если рассматривать более серьёзно и не ударяться в размышления о том, правильно или неправильно называть размеры чипов тем, чем их называют ("ой, это не 7 нм, а 32, но многослойно" или как там оно должно звучать), необходимо уменьшать влияние температуры и различных шумов. Транзисторы уже на том размере, когда различные эффекты того, а почему в принципе транзисторы работают, уже влияют напрямую. Решать проблемы с эффектом туннелирования тогда, когда это не надо, есть эффекты, что от нагрева частицы получают и отдают больше энергии, чем надо, что ведёт к ошибкам. Проблемы многослойных чипов как таковые: как компактно уместить всё на пластине, чтобы ещё и данные пересылать да охлаждать адекватно. Может надо материалы менять, тогда эффективнее будет.
Поверх всего этого так-то лежит ПО. Может при текущих чипах уже можно решать на порядки сложнее задачи, надо только научиться лучше оперировать этой информацией. А так, неэффективное использование.
Так сейчас эти цифры уже напрямую не означаются размер затвора транзистора. Теперь это чисто маркетинг. Уже сейчас размеры таковы, что требуется буквально атомарная точность (расстояния между атомами кремния в его кристаллической решетке 0.5нм, а диаметр атома 0.264 нм).
Был хороший видос на эту тему. Объясняет как работают транзисторы в процессоре и какая техническая сложность уменьшать их ещё дальше. https://www.youtube.com/watch?v=lHptVT-tS-Y
Что произойдет, когда техпроцесс достигнет 1 нм? В смысле куда двигаться дальше?
Комментарий недоступен
Дальше двигаться к осознанию того, что "нм" – это просто мера длины. Но не производителю чипов, а тебе))
Техпроцесс давно встал на уровне 30-40нм Спасибо "Интелу" и его маркетинговым нанометрам из за которых с 100нм там в начале 2000х скакнули до 30сходу.
Техпросс в "МНОГОСЛОЙНЫЙ"(!SIC!) Объемных чипах измеряют в плотности транизстеров на площадь одной стороны кубика.
По факту же если подходить к техпроцессу с точки зрения 70х-80х годов"техпроцесс" где техпроцесс измерялся в размере самого элемента транзистера целиком как неделимого элемента - ничего принципиально меняется кроме собственно уменьшения вероятности брака, улучшения качества отдельного транзистера вместо слабочитаемой блямбы более ровные грани и наращивания слоев чипа - в результате этих двух вещей можно смело рапортовать о новых нанотехнологиях.
В качестве наглядного примера вот:
20А (Ангстрем) в планах у Интел. Только надо понимать, что до реального физического предела в 5-10 нанометров нам ещё шлёпать и шлёпать. Раньше на графен перейдём, чем сумеем столь сильно миниатюризировать кремний. А у графена такой предел совсем уж недостижим ибо ещё меньше.
Так они уже уперлись в потолок, для повышения мощности они поднимают TDP, для последнего поколения Интелов уже считается минимум TDP 125 Ватт, по сути это печки.
Комментарий недоступен
Так интел уже обьявили что дальше будут «анстромы», может конечно тсмс назовет по другому, но пока это единственное название для чипов «менее 1нм».
Комментарий недоступен
Если рассматривать более серьёзно и не ударяться в размышления о том, правильно или неправильно называть размеры чипов тем, чем их называют ("ой, это не 7 нм, а 32, но многослойно" или как там оно должно звучать), необходимо уменьшать влияние температуры и различных шумов.
Транзисторы уже на том размере, когда различные эффекты того, а почему в принципе транзисторы работают, уже влияют напрямую. Решать проблемы с эффектом туннелирования тогда, когда это не надо, есть эффекты, что от нагрева частицы получают и отдают больше энергии, чем надо, что ведёт к ошибкам. Проблемы многослойных чипов как таковые: как компактно уместить всё на пластине, чтобы ещё и данные пересылать да охлаждать адекватно.
Может надо материалы менять, тогда эффективнее будет.
Поверх всего этого так-то лежит ПО. Может при текущих чипах уже можно решать на порядки сложнее задачи, надо только научиться лучше оперировать этой информацией. А так, неэффективное использование.
Так сейчас эти цифры уже напрямую не означаются размер затвора транзистора. Теперь это чисто маркетинг. Уже сейчас размеры таковы, что требуется буквально атомарная точность (расстояния между атомами кремния в его кристаллической решетке 0.5нм, а диаметр атома 0.264 нм).
Был хороший видос на эту тему. Объясняет как работают транзисторы в процессоре и какая техническая сложность уменьшать их ещё дальше.
https://www.youtube.com/watch?v=lHptVT-tS-Y