Первая 128-слойная память 4D NAND готова

Компания SK Hynix сегодня сообщила о начале серийного выпуска первой в отрасли 128-слойной флэш-памяти типа TLC 4D NAND плотностью 1 Тбит, способной хранить три бита в одной ячейке.

Эта флэш-память предназначена для использования в мобильных устройствах и корпоративных твердотельных накопителях.Для начала стоит вспомнить, что под хитростным термином «четырехмерная память» (4D NAND) скрывается доработанная трехмерная память. Ключевое отличие чипов 4D NAND от традиционной памяти 3D NAND заключается в переносе цепи управления ячейками непосредственно под основной массив трехмерной памяти. Это и есть дополнительное четвертое измерение в понимании маркетологов SK Hynix. Сама технология размещения периферийных цепей в нижнем слое обозначается PUC (сокращение от Peri. Under Cell). Справедливости ради стоит отметить, что похожие технологии применяют и другие производители этого вида памяти, включая Samsung, Intel и Micron.Новые кристаллы 128-слойной флэш-памяти SK Hynix являются самыми передовыми чипами с вертикальной объемной компоновкой. Каждый такой содержит в общей сложности более 360 миллиардов ячеек TLC NAND. Кроме того, плотность 1 Тбит является самым большим значением для памяти TLC NAND в отрасли. Отметим, что ранее SK Hynix и другие компании освоили выпуск флэш-памяти QLC NAND, способной хранить в каждой ячейке четыре бита, аналогичной плотности 1 Тбит.Для создания сабжа SK Hynix использовала опыт и ряд инновационных технологий, среди которых упоминаются следующие: технология «ультра-однородного вертикального травления», технология «формирования высоконадежных многослойных тонкопленочных ячеек» и «сверхбыстрое проектирование схем с низким энергопотреблением».Производитель отмечает, что для изготовления новой памяти используется существующее серийное производство. Помимо более высокой плотности, новые 128-слойные кристаллы обещают лучшую производительность по сравнению со старыми 96-слойными. Для них заявлена скорость передачи данных до 1,4 Гбит/с при напряжении 1,2 В против 1,2 Гбит/с у старых. Кроме того, благодаря оптимизации производства удалось сократить общее количество производственных процессов на 5%, что позволило уменьшить инвестиционные расходы на переход с 96-слойной памяти к 128-слойной на 60%. При этом плотность размещения данных в расчете на пластину увеличилась на 40%.SK Hynix планирует приступить к поставкам новой памяти во втором полугодии. В первом полугодии 2020 года SK Hynix обещает подготовить на базе новой памяти модуль UFS 3.1 объемом 1 ТБ для флагманских смартфонов и наладить серийный выпуск SSD объемом 2 ТБ с контроллером и ПО собственной разработки. В планах на следующих год также значится выпуск SSD объемом 16 и 32 ТБ для облачных дата-центров.Источник — https://vk.com/myironcomp