Samsung инвестирует 42,8 миллиарда долларов в полупроводниковую промышленность

Средства пойдут на строительство новых фабрик и освоение техпроцессов.

Samsung Electronics поделилась инвестиционным планом на ближайшие 3 года. Компания потратит не менее 42,8 миллиарда долларов на развитие полупроводникового сектора. Из них 17 миллиардов пойдут на строительство фабрики по производству чипов в США.

В условиях дефицита компания также планирует возвести новые заводы в Пхёнтхэке и нанять инженеров для совершенствования 3-нм техпроцесса. Главный конкурент Samsung в сфере литографии TSMC ранее утвердил производство 2-нм чипов.

Ещё одним направлением инвестиций станут микросхемы памяти. Micron Technology недавно объявила о выпуске первой в мире 10-нм DRAM четвёртого поколения, а SK Hynix завершила разработку 176-слойной флеш-памяти NAND.

Samsung же делает ставку на 14-нм чипы DRAM и 200-слойные V-NAND и планирует начать их производство раньше намеченного срока — уже в третьем-четвёртом квартале 2021 года.

Интересно, что заявления прозвучали после досрочного освобождения из тюрьмы вице-президента Samsung Ли Чжэ Ёна — его приговаривали к 2,5 годам заключения по делу о взяточничестве. На фоне новостей акции компании выросли более чем на 3%.

Ранее Samsung объявила о завершении разработки первого в мире модуля памяти DDR5 на 512 ГБ с частотой 7200 МГц — он превосходит DDR4 не только по объёму и скорости, но и по энергопотреблению.