Samsung сообщила об успешном создании чипа по техпроцессу 3-нм
Компания намерена начать его производство уже в следующем году.
Практический образец разработан с использованием новой технологии производства транзисторов MBCFET, который получит шину на 256-Мбит на массиве памяти SRAM.
Добавим, что MBCFET — новая зарегистрированная торговая марка, основанная на концепции производства GAAFET, когда канал чипа окружён затвором с четырёх сторон для уменьшения размера, снижения энергопотребления и повышения производительности. Первое описание техпроцесса хоть и появилось давно — в 1988, но массовое производство было невозможно.
Также производство чипов на новой технологии позволит менять ширину и число каналов-наностраниц, что способствует более гибкой настройке мощности и энергопотребления для конкретных линеек.
По словам компании, производительность на такт в 3-нм MBCFET выросла на 30%, энергопотребление снизилось на 50%, а плотность транзистора увеличилась на 45%, — по сравнению с 7-нм 7LPP.
Если будущие тесты продолжат показывать положительные результаты, Samsung запустит производство 3-нм полупроводников уже в следующем году.
Стыд и SRAM палучаица
Откуда местные Ыксперты знают как лучше мерить нанометры?
Похожи на любителей теории заговоров. Кто-то вбросил что нанометры не настоящие и теперь остальные бегают по инету с этой дезинфой.
Потому что они реально ненастоящие. А дутые. В 70х нанометры мерили по размеру транзистера , мерили его целиком по площади. Сейчас нанометры мериют по самому размеру транзистера, у одной фирмы это растояние между лапами, у другой размер затвора, если подойти к измерению транзистеов по методички 70х-80х годов выяснится что мы все еще на техпроцессаэе в 30-60нм сидим. И по сути вся сверхплотность транзистеров чипа достигается... многослойностью чипа .
Этот эффект дутых нанометров наблюдается давно - где то с середины десятилетия 2000х. По сути мы перешли от интенсивного , к эстенсивной микроэллектроники , растет не качество чипа , а его размер/многослойность и соотвественно же растет и энергопотребение.
Ну типа «7 нм», «5 нм» это же маркетинговые названия а не реальное расстояние между транзисторами, не?
Это пошло от процессоров амд, у которых, скажем так, не везде под крышкой было одинаковое количество нм
Я мог бы дать тебе ссылку на пару статей на Хабре, и на статью на iXBT, если бы с твоей стороны это не было троллингом. А так - похуй.
У тебя есть шанс героически разоблачить эту теорию заговоров. Нужно всего лишь написать, чему соответствуют эти нанометры в итоговом устройстве.