Sony лицензировала у Intel технологии производства транзисторов следующего поколения
Всего в сделку вошли 35 патентов.
Сделка состоялась ещё в конце 2020 года, однако СМИ обратили на неё внимание только сейчас. Компании пока не выпускали официальных заявлений о своих планах на будущее, связанных с переданными патентами.
Gate All Around (GAAFET) — это принцип производства транзисторов, впервые продемонстрированный в 1988 году. Он очень похож на FinFET — за исключением того, что канал окружён затвором с четырёх сторон, что позволяет уменьшить размер кристалла, снизить его энергопотребление и повысить производительность.
В прошлом году Samsung и Intel объявили о начале производства чипов по техпроцессу 3-нм с использованием Gate All Around. На данный момент Samsung и TSMC испытывают некоторые проблемы на стадии доработки многозатворных полевых транзисторов с вертикальными затворами, из-за чего им потребовалось перенести сроки массового производства, изначально планировавшегося в 2022 году.
Каким образом Sony будет использовать технологии Intel, пока не сообщается.
Весной японская компания планирует запуск нового завода в Нагасаки для производства сенсоров для камер — возможно, технологии Intel будут реализованы в этой сфере.