Техпроцессы дано дутые. Собственно если бы пустить к измерению НМ инженера из 80х он бы сильно удивился и резюмировал что техпооцесс ра уровне 30нм. Собственно где то в 200х нм заменились на маркетинговые. Вместо размера транзистера стали мерить самую малую часть транзтстера.
В 2010х с переходом к многослойным чипам ... котоыре стали обьемными тупо берут число транзистеров и делят на площадь в объемном чипе. Хотя по хорошему нужно уже наномерты не в площади а в объеме мерить.
Техпроцессы дано дутые. Собственно если бы пустить к измерению НМ инженера из 80х он бы сильно удивился и резюмировал что техпооцесс ра уровне 30нм.
Собственно где то в 200х нм заменились на маркетинговые. Вместо размера транзистера стали мерить самую малую часть транзтстера.
В 2010х с переходом к многослойным чипам ... котоыре стали обьемными тупо берут число транзистеров и делят на площадь в объемном чипе.
Хотя по хорошему нужно уже наномерты не в площади а в объеме мерить.
А есть подробнее почитать?
Но ведь они становятся более эффективными, в том числе в плане потребления энергии, поэтому какая разница, дутые они или нет?
После 1 нанометра в минус пойдут?
А ну тогда "физический лимит и конец технологий" это пук в лужу?
Я так и думал